DF11MR12W1M1B11BOMA1

الصورة مرجعية، يرجى الاتصال بنا للحصول على الصورة الحقيقية

جزء الشركة المصنعة	DF11MR12W1M1B11BOMA1
الصانع	Rochester Electronics
وصف	IGBT MODULE
فئة	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
عائلة	الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
دورة الحياة:	New from this manufacturer.
توصيل:	DHL FedEx Ups TNT EMS
قسط	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ورقة البيانات	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

التوفر

في الأوراق المالية	٨٣
سعر الوحدة	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

DF11MR12W1M1B11BOMA1 تحديد

يكتب	وصف
سلسلة:	*
حزمة:	Bulk
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	2 N-Channel (Dual)
ميزة فيت:	Silicon Carbide (SiC)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	1200V (1.2kV)
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	50A
rds on (max) @ id، vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs (th) (max) @ id:	5.5V @ 20mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	125nC @ 5V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	3950pF @ 800V
أقصى القوة:	20mW
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Chassis Mount
حزمة / حالة:	Module
حزمة جهاز المورد:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.