A2G35S200-01SR3

الصورة مرجعية، يرجى الاتصال بنا للحصول على الصورة الحقيقية

جزء الشركة المصنعة	A2G35S200-01SR3
الصانع	NXP Semiconductors
وصف	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
فئة	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
عائلة	الترانزستورات - fets ، mosfets - الترددات اللاسلكية
دورة الحياة:	New from this manufacturer.
توصيل:	DHL FedEx Ups TNT EMS
قسط	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ورقة البيانات	A2G35S200-01SR3 PDF

التوفر

في الأوراق المالية	١٨٢
سعر الوحدة	$ 264.51000

A2G35S200-01SR3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

A2G35S200-01SR3 تحديد

يكتب	وصف
سلسلة:	-
حزمة:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الترانزستور:	GaN HEMT
تكرر:	3.4GHz ~ 3.6GHz
يكسب:	16.1dB
الجهد - الاختبار:	48 V
التصنيف الحالي (أمبير):	-
الرقم الضوضاء:	-
الاختبار الحالي:	291 mA
مخرج قوي:	180W
الفولتية المقدرة:	125 V
حزمة / حالة:	NI-400S-2S
حزمة جهاز المورد:	NI-400S-2S

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.